量DDR3内存槽的工作条件,情况如下(主要前面五个):
51与170脚VDD(VCC_DDR),1.5V,正常
236脚VDDSPD:3.36V,正常(图中错了,117是接地的)
67脚VVREFCA:0.75V,正常
1脚VREFDQ供电:0.75V,正常。
120与240脚VTT供电:0.74V,正常
238脚(SMBDATA_DDR)、118脚(SMBCLK_DDR)SMBUS管理总线电压:3.33V,3.33V。正常
168脚复位:1.57V,正常
63、64时钟:1.57V,正常
量DDR3内存槽的工作条件,情况如下(主要前面五个):
51与170脚VDD(VCC_DDR),1.5V,正常
236脚VDDSPD:3.36V,正常(图中错了,117是接地的)
67脚VVREFCA:0.75V,正常
1脚VREFDQ供电:0.75V,正常。
120与240脚VTT供电:0.74V,正常
238脚(SMBDATA_DDR)、118脚(SMBCLK_DDR)SMBUS管理总线电压:3.33V,3.33V。正常
168脚复位:1.57V,正常
63、64时钟:1.57V,正常